一、岗位职责
1. 负责氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）两类宽禁带半导体器件的核心研发工作，涵盖器件设计、结构仿真、制程工艺开发，包括硅基氮化镓器件的专属结构与工艺流程设计，以及碳化硅功率器件的平台化设计与优化。
2. 开展两类器件的全周期测试与应用研究，涉及电性能测试（如参数验证、高频/高压特性测试）、封装方案开发、可靠性分析（如高温稳定性、长期使用寿命验证），并输出测试报告与工艺数据分析，确保研发流程的可靠性与重复性。
3. 持续推动器件性能迭代与工艺稳定性提升，针对氮化镓器件的高频特性、功率密度优化，以及碳化硅器件的高压耐受、能效提升等核心指标进行攻关，同时分析竞品优劣势，明确产品技术差异化方向。
4. 对接市场与客户需求，联合应用工程师梳理器件指标，完成氮化镓、碳化硅产品的定义与开发规划，制定清晰的项目进度表，确保按时间节点推进研发工作，并主导新品从研发到量产的转产落地。
5. 参与氮化镓、碳化硅器件工艺平台的搭建与迭代，指导版图设计团队完成相关设计工作，协助市场部门开展产品在客户端的推广支持，解决客户应用过程中的技术问题。
二、任职要求
1. 学历与专业：硕士及以上学历，电子科学与技术、微电子、电子信息、电磁场与微波技术等相关专业，具备宽禁带半导体材料（GaN/SiC）研究背景者优先。
2. 技术能力：
- 熟悉氮化镓（如GaN HEMT）、碳化硅（如SiC MOSFET、SiC SBD）器件的物理结构、工作原理及核心特性，了解功率半导体器件的整体工艺流程、制造工艺及原理；
- 熟练操作半导体测试仪器，包括矢量网络分析仪、半导体参数分析仪等，掌握功率器件基本电性能测试方法与原理，了解两类器件的封装流程及技术要点；
- 具备器件建模能力，熟练掌握GaAs/GaN HEMT器件建模者优先；能使用仿真软件（如SILVACO、TCAD）及版图设计软件进行器件仿真与设计者优先；
- 有氮化镓或碳化硅器件实际开发、生产经验，或参与过宽禁带半导体器件工艺平台搭建项目者优先。
3. 综合素养：具备较强的逻辑思维能力、学习能力与问题解决能力，能独立完成器件参数优化及可靠性提升工作；拥有良好的沟通协调能力，可跨部门协作推进项目，适应研发型工作节奏。