岗位职责： 1.制定DRAM（包括DDR4/DDR5/LPDDR5等）Burn In（高温老化/应力测试向量开发）方案，包括老化应力测试策略制定（温度、电压等）、BI board设计、BI技术文档编写与测试程序开发、调试，确保老化及测试方案符合产品可靠性标准（如JEDEC规范）及客户需求。 2.监控Burn In测试过程，跟踪失效率、良率、等关键指标，及时发现并处理Burn In测试生产过程中的测试异常批次，能够排查识别制造工艺、产品设计、测试硬件等引起的测试异常，提升产品可靠性和良率；优化Burn In测试流程，提升测试效率与测试覆盖率，同时降低测试成本； 3.分析测试数据，识别产品缺陷和可靠性风险，与DRAM设计团队协作，反馈测试中发现的设计问题，协同设计、产品研发工程团队推动改进措施落地；并为产品研发工程团队提供测试数据支持。 4.自动化和脚本开发（使用Python/Perl/C 等），提升测试效率与数据分析能力。 任职要求： 1.精通DRAM工作原理（如存储单元结构、时序控制）及Burn In测试原理与BI老化失效机理，熟悉JEDEC等可靠性标准；有先进工艺（1x nm及以下）DRAM产品Burn In方案落地经验者优先； 2.5年以上DRAM行业相关工作经验，其中至少3年从事DRAM Burn In测试或可靠性测试相关工作， 具备DRAM BI测试机台（如Advantest H5620、JEC6502、Ando8652）开发经验者优先， 3.掌握失效分析方法与工具，能独立完成Burn In测试失效样品的根本原因分析；具备扎实的数据分析能力，熟练使用统计工具（如JMP）和脚本语言（如Python、Perl）进行自动化处理； 4.有微电子专业背景，特别是半导体器件物理方向，善于自主探索学习，了解半导体工艺流程（如晶圆制造、封装测试），能够结合工艺环节识别Burn In测试中的潜在风险；具备一定的硬件设计能力，可协助开发Burn In测试板； 5. 能够熟练阅读英文技术文档（如芯片Datasheet、JEDEC规范），具备英文技术沟通能力者优先。